（C）薄样品在被表面夹持时，重磅智畴的翻转呈现在实验中的沿畴壁方向的线形翻转模式。

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机型（b）InSbNS的AFM图像和相应的高度轮廓。作为一种直接带隙III-V化合物半导体，重磅智InSb具有最小的带隙和最高的电子迁移率，成为中波长红外（MWIR）范围内潜在的检测器材料。

明阳（c）钝化的InSbNSIR光电探测器的响应度和检测率。

总之，发布该研究证明了InSbNSs具有优异的光电特性，在下一代电子和光电子学中具有广阔的应用前景。海上投稿以及内容合作可加编辑微信：cailiaokefu。

下线1995年获国家杰出青年基金资助。2008年被聘为美国加州大学洛杉矶分校(UCLA)助理教授，陆上2012年和2013年分别晋升为终身副教授和教授，2013年被聘为湖南大学特聘教授。

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